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香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司7月30日签署合作协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。
氮化镓(GaN)是一种坚硬且非常稳定的第三代半导体材料，可在高温和高电压下进行长时间运作。此次在港设立的研发中心，将聚焦开发8寸氮化镓外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。相关中试线将耗资2亿港元，设立投产后，会进行氮化镓外延片的小批量生产。
